IBM y Hitachi, a través de esta colaboración en investigación, se proponen investigar las posibilidades para extender aún más la escala de los transistores. IBM Corporation y Hitachi anunciaron que han firmado un exclusivo acuerdo de investigación conjunta sobre metrología de semiconductores por el término de dos años, con el objetivo de acelerar el ritmo de la innovación en semiconductores.
La miniaturización de transistores, una fuerza rectora para mejorar el rendimiento de los chips de computación, constituye un activo foco de desarrollo de dispositivos de próxima generación a la escala de 32 y 22 nanómetros. El tamaño de tales dispositivos diminutos es de una mil millonésima de metro, y los efectos a esta escala pueden tener un gran impacto en las características eléctricas de los transistores individuales.
La nueva colaboración se concentrará en la investigación de semiconductores de 32 nm y tamaños aún menores, y utilizará nuevos métodos que incluirán las más recientes tecnologías para analizar dispositivos y estructuras de semiconductores a fin de mejorar la caracterización y medición de la variación de transistores, así como para desarrollar una mejor comprensión de la física de los dispositivos. Los ingenieros de las dos compañías y la subsidiaria de Hitachi, Hitachi High-Technologies, colaborarán en la investigación en el Centro de Investigación Thomas J. Watson de IBM de Yorktown Heights, en Nueva York, y en el Albany NanoTech Complex del College of Nanoscale Science and Engineering.
“Las avanzadas capacidades de caracterización de semiconductores de Hitachi y las innovadoras capacidades de investigación CMOS de IBM pueden ayudar a ambas compañías a acelerar el ritmo de la innovación en semiconductores para la generación de 32 nm y generaciones subsiguientes", señaló Bernie Meyerson, vicepresidente de Alianzas Estratégicas y Ejecutivo Principal de Tecnología del Grupo de Sistemas y Tecnología de IBM.
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